Temperaturas e regulador de crescimento na germinação de sementes de alface
Resumo
A alface apresenta sensibilidade às variações de temperatura durante a germinação, sendo afetada negativamente por altas temperaturas. Deste modo, métodos capazes de minimizar tais efeitos, se revestem de grande importância para promover germinação satisfatória. Assim, objetivou-se com o presente estudo avaliar a utilização do etefon (precursor do etileno) na germinação de sementes de alface sob diferentes condições de temperatura. O delineamento experimental foi o inteiramente casualizado em esquema fatorial 2x6, sendo duas temperaturas (20 e 30°C) e seis concentrações de etefon (0, 200, 400, 600, 800 e 1000 ppm), com quatro repetições. Avaliaram-se a germinação, protrusão radicular, primeira contagem da germinação e índice de velocidade de germinação. O etefon maximizou a germinação e velocidade de germinação de sementes de alface expostas à temperatura de 30°C, enquanto na temperatura de 20°C ocorreram decréscimos. Incrementos também foram verificados no percentual de protrusão radicular para as sementes expostas a 30°C. Em todas as concentrações estudadas, a temperatura de 20°C proporcionou maior percentual e velocidade de germinação. Concentrações entre 726 e 786 ppm proporcionaram melhores respostas no desempenho germinativo de sementes submetidas a 30°C, ao passo que em temperatura de 20°C o etefon promoveu efeito negativo.
Texto completo:
PDFDOI: https://doi.org/10.32929/2446-8355.2020v29n3p337-347
Apontamentos
- Não há apontamentos.
Direitos autorais 2020 Cultura Agronômica: Revista de Ciências Agronômicas
![Licença Creative Commons](http://licensebuttons.net/l/by-nc/4.0/88x31.png)
Esta obra está licenciada sob uma licença Creative Commons Atribuição - NãoComercial 4.0 Internacional.
Ilha Solteira - SP
![](/public/site/images/oliveira-sa/Brasil_mini2.png)
![](https://ci4.googleusercontent.com/proxy/bWSZJg38-Ea3HrdthTmw_5l48ZZPaeFetAngGGeiWWPMpot00E-nw1U9TB65Drd-vEVFKSQ0_Cx0qm-qKmGdYtttv5q1W8x1dMDKHr8Mc7xKBTNM2Dv4Xy0wI6jmWsiO=s0-d-e1-ft#http://www.uel.br/revistas/uel/public/site/images/administrador/88x313.png)